• AR
  • EN

پایــگاه خبــری

  • فهرست اخبار
  • آموزشی
  • پژوهشی
  • دانشجویی و فرهنگی
  • اداری
  • دستاوردها
  • نشست‌ها
  • انتصاب‌ها
  • خبرنامه‌ها
    > فهرست اخبار > جلسه دفاع پایان نامه: مهدی محمدی وندیشی، گروه قدرت
تاریخ: 1402/6/14
ساعت: 14:12
بازدید: 182
شماره خبر: 20726

چاپ خبر
ارسال خبر

اخبار مرتبط

گالری

برچسب‌ها

    به اشتراک بگذارید

     
    جلسه دفاع پایان نامه: مهدی محمدی وندیشی، گروه قدرت

    جلسه دفاع پایان نامه: مهدی محمدی وندیشی، گروه قدرت

    خلاصه خبر:

    عنوان پایان نامه: طراحی و ساخت یک مبدل كليد-خازنی تشدیدی کاهنده با نسبت تبدیل نمایی جهت استفاده درتوان های بالا

    ارائه کننده:  مهدی محمدی وندیشی
    استاد ناظر داخلی اول: دکتر  علی یزدیان
    استاد ناظر خارجی اول: دکتر شهریار کابلی (دانشگاه صنعتی شریف)
    تاریخ:  1402/06/20
    ساعت: 16 الی 18
    مکان: سالن جلسات دانشکده برق و کامپیوتر(اتاق 710)

    چکیده:

    با پیشرفت روز افزون فناوری، مهندسان تصمیم به کم کردن حجم و وزن وسایل الکترونیکی و همچنین استفاده در توان های بالا گرفته اند. مبدل های ولتاژ به عنوان یکی از اجزای اصلی واحد مدیریت توان شناخته می شوند. نقش اصلی آنها فراهم كردن یک ولتاژ خروجی ثابت و صاف برای وسایل الکترونیکی است. اخیرا محققان به سمت مبدل های ولتاژ با حجم كمتر و بازدهی بیشتر برای كاربردهای كنونی و آینده گرایش پیداکرده‌اند. از بین انواع مبدل های ولتاژ كه میتوان روی چیپ پیاده سازی كرد، فقط مبدل های کلید-خازنی هستند كه بازده بالایی دارند مبدلهای كليد-خازنی از بروز ترین مبدل های الکترونیک قدرت هستند که متشکل از كليد ها و خازن ها هستند. این مبدل ها برخی از معایب مبدل های الکترونیک قدرت از جمله حجم بزرگ و چگالی توان پایین را رفع نموده‌اند و بدلیل توانی در مجتمع کردن آنها،امروزه در بسیاری از کاربردها از آنها استفاده می‌شود.اگرچه این مبدل ها از برخی معایب مانند عدم کلیدزنی نرم، ناتوانی در تثبیت ولتاژ خروجی در برابر تغییرات ولتاژ ورودی و بار رنج می برند اما می توان با برخی تغییرات این معایب را مرتفع نمود تا این مبدل ها دارای ساختار هایی شوند که از آنها در توان های پایین و بالا استفاده شود و همچنین با ارائه روش های مرسوم کلیدزنی نرم،تلفات ناشی از کلیدزنی را تا حد قابل توجهی کاهش داده‌ام. 
    چگالی توان بالای مبدل های كليد-خازنی ناشی از فقدان عناصر مغناطیسی است. اما، این موضوع منجربه عدم توانایی در تثبیت ولتاژ خروجی و کلیدزنی سخت، به خاطر جریانهای لحظه ای بزرگ، می شود. این جریانها سبب افزایش تلفات کلیدزنی و نویز و محدودشدن توان قابل پردازش می گردد. تاکنون ساختارهای متنوعی جهت افزایش سطح ولتاژ توسط این نوع مبدل ها ارائه شده است. در این جا یک مبدل کاهنده ارائه خواهد شد که به صورت نمایی قابلیت کاهش سطح ولتاژ خروجی را دارد و به کمک آن می توان محدوده وسیعی از نسبت تبدیل ولتاژ را به دست آورد. ساختار مبدل مورد نظر به گونه ای است که می تواند برای توانهای بالا مناسب باشد. ویژگی کلیدزنی نرم در این مبدل امکان دسترسی به چگالی توان بالا را فراهم می نماید. در اینجا، تحلیل، ساخت و شبیه سازی های لازم برای مبدل ارائه شده با ولتاژ ورودی 400ولت، ولتاژ خروجی 48ولت و توان خروجی 300وات تا 1کیلو وات ارائه خواهد شد.

    خبر بعدی خبر قبلی

    ما را در شبکه‌های اجتماعی دنبال کنید

    © تمامی حقوق سایت برای دانشگاه تربیت مدرس محفوظ است.