ارائه کننده: مهسا فرهادپور
استاد راهنما: دکتر عبدالرضا نبوی
استاد ناظر داخلی: دکتر امیر نیک پیک 
استاد ناظر خارجی : دکتر صمد شیخایی (دانشگاه تهران)
تاریخ: 1401/12/22
ساعت: 18.30 الی 20

چکیده:
طراحی تقویت‌کننده کم نویز (LNA) در فرکانس موج میلی‌متری به دلیل مبادله شدید بین پارامترهای مدار و اثر عناصر پارازیتی با چالش‌های متعددی مواجه است. در این پایان نامه یک تقویت کننده ی کم نویز باند پهن 60.6-93GHz با توپولوژی کسکود و با سلف های تطبیق بین طبقه ای کوپل شده ارائه شده است. سلف های کوپل شده یک نوع جدید از کوپلینگ در بین طبقه می باشد که پهنای باند LNA را گسترش می دهند. در ساختار ارائه شده از تکنیک های متفاوت دیگری نظیر به کارگیری سلف در درین ترانزیستور CS و سورس ترانزیستور CG برای کاهش نویز، استفاده از سلف در گیت ترانزیستور CG جهت افزایش بهره، افزودن کوپلینگ بین سلف های درین و گیت ترانزیستور CG  جهت افزایش پایداری استفاده می کند. همچنین در ورودی این تقویت کننده شبکه تطبیقی استفاده شده است که نویز را به میزان تقریبی 1dB کاهش می دهد.

      تقویت کننده ی کم نویز در تکنولوژی 65nm-CMOS طراحی شده است و مساحت تراشه 0.19  را اشغال می کند. LNA به حداکثر گین 17.1dB با پهنای باند 3dB، 60.6-93GHz و پهنای باند کسری تا 42% دست پیدا می کند. NF شبیه سازی شده بین 5.1dB تا 8.8dB در پهنای باند متغیر است. نقطه فشرده سازی بهره ورودی 1dB در فرکانس مرکزی -20dBm و  آن -11.7dBm می باشد. این تراشه در مجموع توان 26.5mW را از تغذیه 1.8V مصرف می کند.